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首页 全部分类 BSC014N03LSGATMA1 vs IRFH9310TRPBF

BSC014N03LSGATMA1备选型号: IRFH9310TRPBF

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  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSC014N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 34A 8-Pin TDSON
    3 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    1
    2.2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2006
    e3
    no
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    139W
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.4m Ω @ 30A, 10V
    无卤素
    10000pF @ 15V
    131nC @ 10V
    8.6ns
    ±20V
    34A
    20V
    30V
    0.0021Ohm
    400A
    290 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH9310TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    21A Ta 40A Tc
    2.4V @ 100μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2010
    e3
    -
    活跃
    2 (1 Year)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -
    DUAL
    -
    260
    30
    R-PDSO-N3
    -
    -
    增强型MOSFET
    3.1W
    DRAIN
    25 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    4.6m Ω @ 21A, 10V
    -
    5250pF @ 15V
    58nC @ 4.5V
    47ns
    ±20V
    21A
    20V
    -
    0.0046Ohm
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    Single
    30V
    70 ns
    -1.9V
    40A
    -30V
    -1.9 V
    950μm
    6mm
    5mm
    无
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