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首页 全部分类 BSC050NE2LSATMA1 vs BSZ100N03MSGATMA1

BSC050NE2LSATMA1备选型号: BSZ100N03MSGATMA1

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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSC050NE2LSATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 25V 39A 8-Pin TDSON EP T/R
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    39A Ta 58A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    5m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    760pF @ 12V
    10.4nC @ 10V
    2.2ns
    25V
    ±20V
    39A
    2V
    20V
    60A
    0.0076Ohm
    240A
    25V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSZ100N03MSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    10A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2005
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    S-PDSO-N5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9.1m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1700pF @ 15V
    23nC @ 10V
    2.8ns
    -
    ±20V
    40A
    2V
    16V
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无卤素
    30V
    含铅
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