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首页 全部分类 BSC080N03MSGATMA1 vs FDMS7680

BSC080N03MSGATMA1备选型号: FDMS7680

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • Infineon Technologies
    BSC080N03MSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    13A Ta 53A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2002
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    FLAT
    8
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    35W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 30A, 10V
    2V @ 250μA
    2100pF @ 15V
    27nC @ 10V
    5.4ns
    30V
    ±20V
    5.6 ns
    13A
    20V
    30V
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS7680
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 14A POWER56
    18 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    56
    SILICON
    14A Ta 28A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    -
    -
    R-PDSO-N5
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.9m Ω @ 14A, 10V
    3V @ 250μA
    1850pF @ 15V
    28nC @ 10V
    4ns
    -
    ±20V
    3 ns
    14A
    20V
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    68.1mg
    Tin (Sn)
    Single
    MO-240AA
    53A
    0.0069Ohm
    30V
    80A
    29 mJ
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