BSC0901NSATMA1备选型号: NTMFS4898NFT1G
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- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 底架
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 电阻
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP T/R26 Weeks8-PowerTDFN表面贴装表面贴装8SILICON2.5W Ta 69W Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2011e3no活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLAT未说明not_compliant未说明8R-PDSO-F5不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET69WDRAIN5.4 nsN-ChannelSWITCHING1.9m Ω @ 30A, 10V2.2V @ 250μA无卤素2800pF @ 15V44nC @ 10V6.8ns±20V4.8 ns100A20V30V0.0024Ohm400AROHS3 Compliant含铅------------
- MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHM-8-PowerTDFN, 5 Leads表面贴装表面贴装5-13.2A Ta 117A Tc-Cut Tape (CT)-2010e3yesObsolete1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)DUALFLAT---5---增强型MOSFET73.5WDRAIN17.6 nsN-ChannelSWITCHING3m Ω @ 30A, 10V2.5V @ 1mA-3233pF @ 12V49.5nC @ 10V23ns-8.3 ns13.2A20V--234A符合RoHS标准无铅LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)3MOhm150°C-55°C930mWSingle30V228 mJ1.1mm5.1mm6.1mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS4898NFT3G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN, 5 Leads | MOSFET NFET SO8FL 30V 120A 3MOHM | 对比 | |
| FDMS8820 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET NCh 30V 116A 2.4mOhm | 对比 | |
![]() | STL105NS3LLH7 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 105A 8-Pin Power Flat T/R | 对比 |




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