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首页 全部分类 BSC0924NDIATMA1 vs FDMA86151L

BSC0924NDIATMA1备选型号: FDMA86151L

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 漏源击穿电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • Infineon Technologies
    BSC0924NDIATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    17A 32A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    1W
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PDSO-N6
    SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    排水源头
    2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
    5m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1160pF @ 15V
    10nC @ 4.5V
    30V
    32A
    20V
    1.3A
    0.007Ohm
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 4.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMA86151L
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 100V 3.3A 6-MLP
    8 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    3.3A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    无铅
    260
    -
    未说明
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    88m Ω @ 3.3A, 10V
    3V @ 250μA
    450pF @ 50V
    7.3nC @ 10V
    -
    3.3A
    20V
    -
    0.088Ohm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    30mg
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    1
    Single
    5.6 ns
    SWITCHING
    1.4ns
    ±20V
    1.6 ns
    100V
    5 pF
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