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首页 全部分类 BSC110N06NS3GATMA1 vs IRF60R217

BSC110N06NS3GATMA1备选型号: IRF60R217

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • JESD-30代码
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  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 漏源电压 (Vdss)
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • Infineon Technologies
    BSC110N06NS3GATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    50A Tc
    4V @ 23μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    未说明
    未说明
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 50A, 10V
    无卤素
    2700pF @ 30V
    33nC @ 10V
    77ns
    ±20V
    6 ns
    50A
    12V
    60V
    200A
    22 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF60R217
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 60V 58A
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    SILICON
    58A Tc
    3.7V @ 50μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    StrongIRFET™
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    R-PSSO-G2
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    9.9m Ω @ 35A, 10V
    -
    2170pF @ 25V
    66nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    58A
    -
    -
    217A
    124 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    60V
    TO-252AA
    0.0099Ohm
    60V
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