我的订单
会员中心 
在线咨询
0755-83328606
BSC22DN20NS3GATMA1备选型号: BSZ22DN20NS3GATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- Reach合规守则
Trans MOSFET N-CH 200V 7A 8-Pin TDSON EP26 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON7A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2006no活跃1 (Unlimited)5EAR99DUALFLAT未说明未说明8R-PDSO-F5不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET34WDRAINN-ChannelSWITCHING225m Ω @ 3.5A, 10V4V @ 13μA无卤素430pF @ 100V5.6nC @ 10V4ns±20V7A3V20V200V7A0.225Ohm30 mJ无SVHCROHS3 Compliant含铅---- Trans MOSFET N-CH 200V 7A18 Weeks-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON7A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2011no活跃1 (Unlimited)5EAR99DUAL无铅未说明未说明8S-PDSO-N5不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET34WDRAINN-ChannelSWITCHING225m Ω @ 3.5A, 10V4V @ 13μA无卤素430pF @ 100V5.6nC @ 10V4ns±20V7A-20V200V7A0.225Ohm30 mJ-ROHS3 Compliant含铅e3Tin (Sn)not_compliant
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STD5N20LT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET Transistor, N Channel, 2.5 A, 200 V, 650 mohm, 5 V, 2.5 V RoHS Compliant: Yes | 对比 |
| STD7NS20T4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 200V 7A DPAK | 对比 |
哦! 它是空的。