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首页 全部分类 BSC889N03LSGATMA1 vs FDS6670AS

BSC889N03LSGATMA1备选型号: FDS6670AS

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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSC889N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    13A Ta 45A Tc
    2.2V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    2.8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 30A, 10V
    1300pF @ 15V
    16nC @ 10V
    2.2ns
    30V
    ±20V
    2.4 ns
    13A
    20V
    0.009Ohm
    30V
    无
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS6670AS
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin SOIC N T/R
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    4.5V 10V
    3V @ 1mA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    2005
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    增强型MOSFET
    2.5W
    -
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 13.5A, 10V
    1540pF @ 15V
    38nC @ 10V
    5ns
    -
    ±20V
    18 ns
    13.5A
    20V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    18 Weeks
    Tin
    130mg
    e4
    yes
    9MOhm
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    30V
    13.5A
    Single
    30V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    无铅
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