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BSD316SNH6327XTSA1备选型号: DMN63D8LDW-7
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 基本部件号
- 参考标准
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间（典型值）
- 阈值电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 最大结点温度（Tj）
- 场效应管特性
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 6-Pin SOT-363 T/R10 WeeksTin表面贴装表面贴装6-VSSOP, SC-88, SOT-36361.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明N-Channel160m Ω @ 1.4A, 10V2V @ 3.7μA无卤素94pF @ 15V0.6nC @ 5V2.3ns±20V1.4A20V30VROHS3 Compliant无铅--------------------------
MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT36315 WeeksTin表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-36362-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-2012e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99260402 N-Channel (Dual)2.8 Ω @ 250mA, 10V1.5V @ 250μA-22pF @ 25V870nC @ 10V3.2ns-220mA20V-ROHS3 Compliant无铅6.010099mgSILICON6HIGH RELIABILITY300mW鸥翼DMN63D8LAEC-Q101Dual增强型MOSFET300mW3.3 nsSWITCHING30V6.3 ns1.5V4.5Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR150°C逻辑电平门1.1mm2.2mm1.35mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN3190LDW-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 | 对比 |
| DMN3190LDW-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 | 对比 |
 | NTJS4160NT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | MOSFET N-CH 30V 1.8A SC88-6 | 对比 |
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