BSD316SNL6327XT备选型号: SSM6L09FUTE85LF
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 输入电容
- 最大rds
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 最大功率耗散
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 极性/通道类型
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 6-Pin SOT-363 T/R表面贴装表面贴装6-VSSOP, SC-88, SOT-3636PG-SOT363-61.4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2011Obsolete1 (Unlimited)150°C-55°CN-Channel160mOhm @ 1.4A, 10V2V @ 3.7μA94pF @ 15V0.6nC @ 5V30V±20V1.4A94pF160 mΩ符合RoHS标准------------
- MOSFET N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-363--400mA 200mA150°C TJCut Tape (CT)-2014活跃1 (Unlimited)--N and P-Channel700m Ω @ 200MA, 10V1.8V @ 100μA20pF @ 5V---200mA--符合RoHS标准12 Weeks300mW2Dual增强型MOSFET85 nsN-CHANNEL AND P-CHANNEL-1.8V0.4A30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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