BSD316SNL6327XT备选型号: SSM6L09FUTE85LF

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 输入电容
  • 最大rds
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 最大功率耗散
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 极性/通道类型
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 1.4A 6-Pin SOT-363 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    6-VSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    PG-SOT363-6
    1.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    N-Channel
    160mOhm @ 1.4A, 10V
    2V @ 3.7μA
    94pF @ 15V
    0.6nC @ 5V
    30V
    ±20V
    1.4A
    94pF
    160 mΩ
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-Ch P-Ch Sg FET 0.4A -0.2A 30V -30V
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    -
    400mA 200mA
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    -
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N and P-Channel
    700m Ω @ 200MA, 10V
    1.8V @ 100μA
    20pF @ 5V
    -
    -
    -
    200mA
    -
    -
    符合RoHS标准
    12 Weeks
    300mW
    2
    Dual
    增强型MOSFET
    85 ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    -1.8V
    0.4A
    30V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
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