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首页 全部分类 BSL302SNH6327XTSA1 vs IRFTS8342TRPBF

BSL302SNH6327XTSA1备选型号: IRFTS8342TRPBF

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 电阻
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Infineon Technologies
    BSL302SNH6327XTSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 7.1A 6TSOP
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    7.1A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    6.4 ns
    N-Channel
    25m Ω @ 7.1A, 10V
    2V @ 30μA
    无卤素
    750pF @ 15V
    6.6nC @ 5V
    2.8ns
    ±20V
    1.9 ns
    7.1A
    20V
    30V
    0.025Ohm
    28A
    30 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFTS8342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    8.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2008
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    7.3 ns
    N-Channel
    19m Ω @ 8.2A, 10V
    2.35V @ 25μA
    -
    560pF @ 25V
    4.8nC @ 4.5V
    15ns
    ±20V
    8.2 ns
    8.2A
    20V
    -
    -
    80A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    19MOhm
    Single
    2W
    SWITCHING
    1.8V
    30V
    12 ns
    1.8 V
    1.3mm
    3mm
    1.75mm
    无SVHC
    无
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