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BSL373SNH6327XTSA1备选型号: BSL716SNH6327XTSA1
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 无卤素
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- RoHS状态
- 无铅
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP12 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6SILICON2A Ta4V @ 218μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013e3yesObsolete1 (Unlimited)6Tin (Sn)雪崩 额定DUAL鸥翼未说明未说明AEC-Q101R-PDSO-G6SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-Channel230m Ω @ 2A, 10V无卤素265pF @ 25V9.3nC @ 10V±20V2A100V2A0.23Ohm21 pFROHS3 Compliant无铅--- MOSFET N-CH 75V 2.5A 6TSOP12 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6SILICON2.5A Ta1.8V @ 218μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™2013e3yesObsolete1 (Unlimited)6Tin (Sn)雪崩 额定DUAL鸥翼未说明未说明AEC-Q101R-PDSO-G6SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-Channel150m Ω @ 2.5A, 10V无卤素315pF @ 25V13.1nC @ 10V±20V2.5A75V-0.15Ohm-ROHS3 Compliant无铅10A33 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSL372SNH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 100V 2A 6TSOP | 对比 |
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