BSL802SNL6327HTSA1备选型号: PMN27UN,135

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 表面安装
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 晶体管应用
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 20V 7.5A 6-Pin TSOP T/R
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    7.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    鸥翼
    6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2W
    10 ns
    N-Channel
    22m Ω @ 7.5A, 2.5V
    750mV @ 30μA
    1347pF @ 10V
    4.7nC @ 2.5V
    30ns
    20V
    ±8V
    5.5 ns
    7.5A
    8V
    0.022Ohm
    20V
    77 pF
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
    -
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    -
    SILICON
    5.7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    1997
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    DUAL
    鸥翼
    6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    34m Ω @ 2A, 4.5V
    700mV @ 1mA
    740pF @ 10V
    10.6nC @ 4.5V
    -
    20V
    ±8V
    -
    -
    -
    0.04Ohm
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    YES
    e3
    Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    未说明
    未说明
    R-PDSO-G6
    不合格
    SWITCHING
    5.7A
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