BSP122,115备选型号: DMP3030SN-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 下降时间(典型值)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • Nexperia USA Inc.
    NEXPERIA - BSP122,115 - MOSFET Transistor, N Channel, 750 mA, 200 V, 1.7 ohm, 10 V, 2 V
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    4.535924g
    SILICON
    550mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1996
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    2.5Ohm
    8541.29.00.75
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    4
    R-PDSO-G4
    Single
    增强型MOSFET
    1.5W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.5 Ω @ 750mA, 10V
    2V @ 1mA
    100pF @ 25V
    ±20V
    550mA
    2V
    20V
    200V
    0.55A
    200V
    2 V
    1.7mm
    6.7mm
    3.7mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-3
    15 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    7.994566mg
    SILICON
    700mA Ta
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    500mW
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    250m Ω @ 400mA, 10V
    3V @ 1mA
    160pF @ 10V
    ±20V
    700mA
    -
    20V
    -
    0.7A
    -30V
    -
    1.3mm
    3.1mm
    1.7mm
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    yes
    Matte Tin (Sn) - annealed
    HIGH RELIABILITY
    1
    10 ns
    25ns
    30V
    25 ns
    0.45Ohm
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BSR315PH6327XTSA1 BSR315PH6327XTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3 对比