BSP122,115备选型号: DMP3030SN-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 通道数量
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 漏极-源极导通最大电阻
- NEXPERIA - BSP122,115 - MOSFET Transistor, N Channel, 750 mA, 200 V, 1.7 ohm, 10 V, 2 V4 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA34.535924gSILICON550mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1996e3活跃1 (Unlimited)4EAR992.5Ohm8541.29.00.75DUAL鸥翼260304R-PDSO-G4Single增强型MOSFET1.5WDRAINN-ChannelSWITCHING2.5 Ω @ 750mA, 10V2V @ 1mA100pF @ 25V±20V550mA2V20V200V0.55A200V2 V1.7mm6.7mm3.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---------
- MOSFET P-CH 30V 700MA SC59-315 Weeks-表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-337.994566mgSILICON700mA Ta-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011e3活跃1 (Unlimited)3EAR99--DUAL鸥翼260403-Single增强型MOSFET500mW-P-ChannelSWITCHING250m Ω @ 400mA, 10V3V @ 1mA160pF @ 10V±20V700mA-20V-0.7A-30V-1.3mm3.1mm1.7mm-无ROHS3 Compliant无铅yesMatte Tin (Sn) - annealedHIGH RELIABILITY110 ns25ns30V25 ns0.45Ohm
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSR315PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 60V 620MA SC-59-3 | 对比 |





哦! 它是空的。