您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 BSP135H6327XTSA1 vs ZVN0545GTA

BSP135H6327XTSA1备选型号: ZVN0545GTA

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 恢复时间
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • Infineon Technologies
    BSP135H6327XTSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    10 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    4
    SILICON
    120mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    SIPMOS®
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    260
    30
    4
    600V
    Single
    12A
    1.8W
    DRAIN
    5.4 ns
    N-Channel
    45 Ω @ 120mA, 10V
    1V @ 94μA
    无卤素
    146pF @ 25V
    4.9nC @ 5V
    5.6ns
    ±20V
    182 ns
    120mA
    20V
    600V
    600V
    130 ns
    耗尽模式
    1.5mm
    6.5mm
    3.5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    ZVN0545GTA
    Diodes Incorporated
    Trans MOSFET N-CH 450V 0.14A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
    17 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-261-4, TO-261AA
    3
    SILICON
    140mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    2006
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    DUAL
    鸥翼
    260
    40
    4
    -
    Single
    -
    2W
    DRAIN
    7 ns
    N-Channel
    50 Ω @ 100mA, 10V
    3V @ 1mA
    -
    70pF @ 25V
    -
    7ns
    ±20V
    10 ns
    140mA
    20V
    -
    450V
    -
    -
    1.65mm
    6.7mm
    3.7mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    7.994566mg
    50Ohm
    Matte Tin (Sn)
    450V
    140mA
    R-PDSO-G4
    1
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    3V
    0.6A
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BSP135L6327HTSA1 BSP135L6327HTSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-261-4, TO-261AA Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R 对比