BSP88E6327备选型号: BSP317PL6327HTSA1
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 接通延迟时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 输入电容
- 最大rds
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AASILICON350mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®2001e3Obsolete1 (Unlimited)4EAR99哑光锡逻辑电平兼容8541.29.00.75240VDUAL鸥翼未说明320mA未说明4R-PDSO-G4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING6 Ω @ 350mA, 10V1.4V @ 108μA95pF @ 25V6.8nC @ 10V10ns±20V350mA0.35A6Ohm1.4ANon-RoHS Compliant含铅----------
- MOSFET P-CH 250V 0.43A SOT-223表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA-430mA Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SIPMOS®2002-Obsolete1 (Unlimited)-----------------P-Channel-4Ohm @ 430mA, 10V2V @ 370μA262pF @ 25V15.1nC @ 10V11.1ns±20V430mA---符合RoHS标准-PG-SOT223-4150°C-55°C5.7 ns250V67 ns20V262pF4 Ω无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSP88L6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 240V 0.35A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
![]() | BCP56-10TX | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-261-4, TO-261AA | TRANS NPN 80V 1A SOT223 | 对比 |




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