BSS63,215备选型号: DRA2123Y0L
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- HTS代码
- Reach合规守则
- 极性
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
- 高度
- 长度
- 宽度
- TRANS PNP 100V 0.1A SOT234 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON100V150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012006e3活跃1 (Unlimited)3EAR99250mWDUAL鸥翼26085MHz30BSS633Single250mWSWITCHING85MHzPNPPNP100V100mA30 @ 25mA 1V100nA ICBO250mV @ 2.5mA, 25mA85MHz100V110V6V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------------
- Bipolar Transistors - Pre-Biased TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm10 Weeks-表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-50V-Tape & Reel (TR)-2009-Discontinued1 (Unlimited)3EAR99200mWDUAL鸥翼未说明-未说明DRA2123-Single200mWSWITCHING--PNP - Pre-Biased-50V100mA30 @ 5mA 10V500nA250mV @ 500μA, 10mA-50V----符合RoHS标准--250mV150°C-40°CBUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.558541.21.00.95unknownPNP2.2 k Ω-100mA10 k Ω1.1mm2.9mm1.5mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SA1312GRTE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R | 对比 |
| DTA114WKAT146 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 | 对比 |




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