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首页 全部分类 BSZ100N03LSGATMA1 vs BSC090N03LSGATMA1

BSZ100N03LSGATMA1备选型号: BSC090N03LSGATMA1

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 无卤素
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BSZ100N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin TSDSON
    18 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    12A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2011
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    无铅
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    S-PDSO-N5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    10m Ω @ 20A, 10V
    2.2V @ 250μA
    无卤素
    1500pF @ 15V
    17nC @ 10V
    2.6ns
    ±20V
    12A
    20V
    30V
    ROHS3 Compliant
    含铅
  • Infineon Technologies
    BSC090N03LSGATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 48A TDSON-8
    26 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    13A Ta 48A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    2013
    e3
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    DUAL
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    8
    R-PDSO-F5
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    32W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9m Ω @ 30A, 10V
    2.2V @ 250μA
    无卤素
    1500pF @ 15V
    18nC @ 10V
    2.6ns
    ±20V
    13A
    20V
    30V
    ROHS3 Compliant
    含铅
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