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首页 全部分类 BTS113AE3064NKSA1 vs FQPF11P06

BTS113AE3064NKSA1备选型号: FQPF11P06

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Infineon Technologies
    BTS113AE3064NKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 11.5A 3-Pin(3 Tab) TO-220AB SMD T/R
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    11.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    TEMPFET®
    2000
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    unknown
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND TEMPERATURE SENSOR
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    170m Ω @ 5.8A, 4.5V
    2.5V @ 1mA
    560pF @ 25V
    60V
    ±10V
    11.5A
    TO-220AB
    0.17Ohm
    46A
    60V
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQPF11P06
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 60V 8.6A TO-220F
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    8.6A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    QFET®
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    P-Channel
    175m Ω @ 4.3A, 10V
    4V @ 250μA
    550pF @ 25V
    60V
    ±25V
    8.6A
    TO-220AB
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    4 Weeks
    Tin
    2.27g
    e3
    yes
    175MOhm
    -60V
    -11.4A
    Single
    30W
    6.5 ns
    SWITCHING
    17nC @ 10V
    40ns
    45 ns
    25V
    -60V
    16.07mm
    10.36mm
    4.9mm
    无
    无铅
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