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首页 全部分类 BUK7K134-100EX vs IRLR120NTRPBF

BUK7K134-100EX备选型号: IRLR120NTRPBF

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  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    BUK7K134-100EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 100V 9.8A LFPAK56
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1205, 8-LFPAK56
    8
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    32W
    鸥翼
    未说明
    未说明
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    32W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    121m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 1mA
    564pF @ 25V
    10.5nC @ 10V
    100V
    9.8A
    0.121Ohm
    39A
    100V
    10.9 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR120NTRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    4V 10V
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    鸥翼
    260
    30
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    185m Ω @ 6A, 10V
    -
    440pF @ 25V
    20nC @ 5V
    -
    10A
    -
    -
    -
    85 mJ
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    2V @ 250μA
    HEXFET®
    e3
    SMD/SMT
    EAR99
    185mOhm
    雪崩 额定
    100V
    11A
    1
    Single
    48W
    4 ns
    35ns
    ±16V
    22 ns
    2V
    TO-252AA
    16V
    100V
    100V
    160 ns
    175°C
    2 V
    2.52mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无
    无SVHC
    无铅
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