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首页 全部分类 BUK7K32-100EX vs IRF540ZSPBF

BUK7K32-100EX备选型号: IRF540ZSPBF

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  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
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  • 晶体管应用
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • 系列
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  • ECCN 代码
  • 电阻
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  • 电压 - 额定直流
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
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  • 漏源击穿电压
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  • 恢复时间
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    BUK7K32-100EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2N-CH 100V 29A LFPAK56
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1205, 8-LFPAK56
    SILICON
    2
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    64W
    鸥翼
    未说明
    未说明
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    64W
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    27.5m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 1mA
    2137pF @ 25V
    34nC @ 10V
    100V
    29A
    0.0275Ohm
    116A
    100V
    67 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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  • Infineon Technologies
    IRF540ZSPBF
    Infineon Technologies
    IRF540ZSPBF N-channel MOSFET Transistor; 36 A; 100 V; 3-Pin D2PAK
    9 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    SILICON
    36A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2003
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    -
    鸥翼
    260
    30
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    26.5m Ω @ 22A, 10V
    4V @ 250μA
    1770pF @ 25V
    63nC @ 10V
    -
    36A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    3
    HEXFET®
    e3
    EAR99
    26.5mOhm
    AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
    100V
    36A
    Single
    92W
    15 ns
    51ns
    ±20V
    39 ns
    4V
    20V
    100V
    100V
    50 ns
    4 V
    4.826mm
    10.668mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    Contains Lead, Lead Free
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