BUK7K5R1-30E,115备选型号: PMN25EN,115
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 表面安装
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 最大功率耗散
- 终端形式
- Reach合规守则
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 源Url状态检查日期
- MOSFET 2N-CH 30V 40A LFPAK56D12 WeeksTin表面贴装YESSOT-1205, 8-LFPAK568SILICON19.5 ns2013Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJe3活跃1 (Unlimited)6雪崩 额定68W鸥翼not_compliant8AEC-Q101; IEC-60134R-PDSO-G62Dual增强型MOSFETDRAIN9.5 ns68W2 N-Channel (Dual)SWITCHING5.1m Ω @ 10A, 10V4V @ 1mA2352pF @ 25V31.1nC @ 10V12.5ns13 ns40A20V30V0.0051Ohm30VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 Compliant----
- MOSFET 30 V, 6.2 A N-CH TRENCH MOSFET--表面贴装-SC-74, SOT-4576-6.2A Ta2013-Tape & Reel (TR)-55°C~150°C TJ-Obsolete1 (Unlimited)--------------N-Channel-23m Ω @ 6.2A, 10V-492pF @ 15V11nC @ 10V---------ROHS3 Compliant2.5V @ 250μA30V±20V2013-06-14 00:00:00
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PMN20EN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-74, SOT-457 | MOSFET Small Signal MOSFET | 对比 | |
![]() | PMV37EN,215 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH 30V 3.1A SOT-23 | 对比 |
![]() | DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |





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