BUK7M10-40EX备选型号: IRLR8729TRPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- RoHS状态
- 引脚数
- ECCN 代码
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- JEDEC-95代码
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 宽度
- 长度
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 40V MLFPAK26 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1210, 8-LFPAK33SILICON56A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012016e3活跃1 (Unlimited)4Matte Tin (Sn)SINGLE鸥翼未说明not_compliant未说明8R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET62WDRAIN5.7 nsN-ChannelSWITCHING10m Ω @ 15A, 10V4V @ 1mA1231pF @ 25V19.5nC @ 10V±20V56A20V40V224A30.6 mJ175°C900μmROHS3 Compliant-----------
- MOSFET N-CH 30V 58A DPAK12 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON11 ns-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®2003e3活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierSINGLE鸥翼260-30-R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE-增强型MOSFET55WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING8.9m Ω @ 25A, 10V2.35V @ 25μA1350pF @ 15V16nC @ 4.5V±20V58A20V30V260A74 mJ-2.3876mmROHS3 Compliant3EAR9947ns10 nsTO-252AA50A0.0089Ohm6.22mm6.7056mm无无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FDD8880 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 58A DPAK | 对比 |
![]() | BUK7M8R0-40EX | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-1210, 8-LFPAK33 | MOSFET N-CH 40V MLFPAK | 对比 |
![]() | BUK9M9R1-40EX | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-1210, 8-LFPAK33 | MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK | 对比 |




哦! 它是空的。