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首页 全部分类 BUK7M15-60EX vs BUK9M12-60EX

BUK7M15-60EX备选型号: BUK9M12-60EX

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 底架
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 已出版
  • 系列
  • 包装
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 达到SVHC
  • Nexperia USA Inc.
    BUK7M15-60EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V MLFPAK
    26 Weeks
    SOT-1210, 8-LFPAK33
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    10V
    4V @ 1mA
    2016
    Automotive, AEC-Q101
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    Matte Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    15m Ω @ 10A, 10V
    1262pF @ 25V
    19.4nC @ 10V
    60V
    ±20V
    42.9A
    43A
    0.015Ohm
    171A
    60V
    26.5 mJ
    ROHS3 Compliant
    not_compliant
  • Nexperia USA Inc.
    BUK9M12-60EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V 54A LFPAK
    26 Weeks
    SOT-1210, 8-LFPAK33
    表面贴装
    表面贴装
    8
    SILICON
    5V
    2.1V @ 1mA
    2016
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~175°C TJ
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    -
    SINGLE
    鸥翼
    -
    -
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    11m Ω @ 15A, 10V
    2769pF @ 25V
    -
    60V
    ±10V
    54A
    -
    0.012Ohm
    216A
    60V
    50.5 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
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