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首页 全部分类 BUK7M45-40EX vs FDD6630A

BUK7M45-40EX备选型号: FDD6630A

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  • 箱体转运
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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 质量
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
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  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    BUK7M45-40EX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 40V MLFPAK
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1210, 8-LFPAK33
    SILICON
    19A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    SINGLE
    鸥翼
    未说明
    未说明
    8
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    45m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 1mA
    317pF @ 25V
    6.2nC @ 10V
    40V
    ±20V
    19A
    0.045Ohm
    77A
    40V
    4.6 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD6630A
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 21A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    SILICON
    21A Ta
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    -
    鸥翼
    -
    -
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    35m Ω @ 7.6A, 10V
    3V @ 250μA
    462pF @ 15V
    7nC @ 5V
    -
    ±20V
    21A
    -
    -
    -
    55 mJ
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
    3
    260.37mg
    e3
    yes
    EAR99
    35MOhm
    Tin (Sn)
    30V
    21A
    Single
    28W
    5 ns
    8ns
    13 ns
    20V
    30V
    1.7 V
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    无SVHC
    无
    无铅
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