BUK7Y54-75B,115备选型号: PHT6N06T,135
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- Reach合规守则
- 引脚数量
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- RoHS状态
- 表面安装
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- MOSFET N-CH 75V 21.4A LFPAK表面贴装SC-100, SOT-66921.4A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™2010Obsolete1 (Unlimited)not_compliant4N-Channel54m Ω @ 10A, 10V4V @ 1mA803pF @ 25V12nC @ 10V75V±20VROHS3 Compliant-----------------------
- MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223表面贴装TO-261-4, TO-261AA5.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™1997Obsolete1 (Unlimited)-4N-Channel150m Ω @ 5A, 10V4V @ 1mA175pF @ 25V5.6nC @ 10V55V±20VROHS3 CompliantYESSILICONe34EAR99Tin (Sn)防静电8541.29.00.75DUAL鸥翼未说明未说明R-PDSO-G4不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINSWITCHING5.5A0.15Ohm22A55V15 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BUK7Y35-55B,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-CH 55V 28.43A LFPAK | 对比 |
![]() | PMPB40SNA,115 | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN | 对比 |
![]() | PMF3800SN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 | 对比 |





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