BUK7Y7R2-60EX备选型号: BUK9609-55A,118
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 漏源电阻
- RoHS状态
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 系列
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 60V LFPAK12 WeeksTin表面贴装SC-100, SOT-669YES4SILICON10V-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)4雪崩 额定SINGLE鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFETDRAIN11.4 nsN-ChannelSWITCHING18.3ns±20V20 ns100AMO-23520V60V60V88.2 mJ7.2mOhmROHS3 Compliant-------------------
- MOSFET TAPE13 PWR-MOS--表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES3SILICON211W Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011Obsolete1 (Unlimited)2-SINGLE鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE-增强型MOSFETDRAIN-N-ChannelSWITCHING-±15V------400 mJ-ROHS3 Compliant2V @ 1mATrenchMOS™e3EAR99Tin (Sn)8541.29.00.75未说明未说明R-PSSO-G2不合格8m Ω @ 25A, 10V4633pF @ 25V60nC @ 5V55V75A0.01Ohm433A55Vnot_compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PMPB40SNA,115 | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN | 对比 |
![]() | PMF3800SN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 | 对比 |





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