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首页 全部分类 BUK95150-55A,127 vs NTP18N06LG

BUK95150-55A,127备选型号: NTP18N06LG

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 底架
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    BUK95150-55A,127
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 55V 13A TO220AB
    通孔
    TO-220-3
    NO
    SILICON
    13A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    TrenchMOS™
    2000
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    8541.29.00.75
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    137m Ω @ 13A, 10V
    2V @ 1mA
    339pF @ 25V
    55V
    ±10V
    TO-220AB
    13A
    0.161Ohm
    53A
    55V
    25 mJ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTP18N06LG
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB
    通孔
    TO-220-3
    -
    SILICON
    48.4W Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    2005
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    -
    260
    -
    40
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 7.5A, 5V
    2V @ 250μA
    440pF @ 25V
    -
    ±10V
    TO-220AB
    -
    -
    45A
    -
    -
    符合RoHS标准
    通孔
    逻辑电平兼容
    60V
    15A
    Single
    48.4W
    20nC @ 5V
    121ns
    42 ns
    15A
    10V
    60V
    无铅
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