BUK9520-100B,127备选型号: IRF3710ZPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 螺纹距离
- 通道数量
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 反向恢复时间
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 双电源电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 100V 63A TO220ABTin通孔TO-220-332V @ 1mA63A Tc-55°C~175°C TJTubeTrenchMOS™Obsolete1 (Unlimited)Single203W45 nsN-Channel18.5m Ω @ 25A, 10V5657pF @ 25V53.4nC @ 5V116ns±15V77 ns63A15V100V100V符合RoHS标准-----------------------------------
- Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 14MILLIOHMS; Id 59A; TO-220AB; Pd 160W; -55DEG-通孔TO-220-334V @ 250μA59A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®活跃1 (Unlimited)Single160W17 nsN-Channel18m Ω @ 35A, 10V2900pF @ 25V120nC @ 10V77ns±20V56 ns59A20V-100VROHS3 Compliant12 Weeks通孔SILICON2003e33通孔EAR9918MOhm镍外哑光锡AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE100V25059A302.54mm1增强型MOSFETDRAINSWITCHING50 ns4VTO-220AB240A100V200 mJ75 ns175°C4 V19.8mm10.54mm4.69mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRFB4610PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB | 对比 |
| BUK9515-100A,127 | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB | 对比 | |
![]() | IRF8010PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB | 对比 |



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