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BUK9616-75B,118备选型号: PMF3800SN,115
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 终端形式
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 漏源电压 (Vdss)
- 源Url状态检查日期
NEXPERIA - BUK9616-75B,118 - MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 75V, TO-26312 WeeksTin表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES3SILICON67A Tc2V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™2011e3活跃1 (Unlimited)2EAR99逻辑电平兼容鸥翼R-PSSO-G2Single增强型MOSFET157WDRAIN30 nsN-ChannelSWITCHING14m Ω @ 25A, 10V4034pF @ 25V35nC @ 5V102ns±15V57 ns67A15V75V75V270A无ROHS3 Compliant无铅--
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323--表面贴装SC-70, SOT-323-3-260mA Ta3.3V @ 1mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™2009-Obsolete1 (Unlimited)----------N-Channel-4.5 Ω @ 500mA, 10V40pF @ 10V0.85nC @ 10V-±15V-------ROHS3 Compliant-60V2013-06-14 00:00:00- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BUK9E15-60E,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 60V 54A I2PAK | 对比 |
| BUK7E11-55B,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK | 对比 |
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