BUK9K13-60EX备选型号: DMTH6010LPD-13
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- BUK9K13-60E - Dual N-channel 60 V, 12.5 m? logic level MOSFET12 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1205, 8-LFPAK568SILICON2-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2013活跃1 (Unlimited)664W鸥翼8AEC-Q101; IEC-60134R-PDSO-G6SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN64W2 N-Channel (Dual)SWITCHING12.5m Ω @ 10A, 5V2.1V @ 1mA2953pF @ 25V22.4nC @ 5V60V40A0.0125Ohm190A60VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门ROHS3 Compliant-------
- MOSFET 2N-CHA 60V 13.1A POWERDI23 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8-13.1A Ta 47.6A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2016活跃1 (Unlimited)-2.8W--------2 N-Channel (Dual)-11m Ω @ 20A, 10V3V @ 250μA2615pF @ 30V40.2nC @ 10V60V47.6A----StandardROHS3 CompliantAutomotive, AEC-Q101e3yesEAR99Matte Tin (Sn)未说明未说明
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSC110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 60V 50A 8-Pin TDSON EP T/R | 对比 |
![]() | IPD50N06S4L12ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | 对比 |
![]() | IPD50N06S409ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3 | 对比 |






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