BUK9M53-60EX备选型号: FDD5612
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 60V 17A LFPAK26 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1210, 8-LFPAK33SILICON17A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™2016活跃1 (Unlimited)4SINGLE鸥翼8AEC-Q101; IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING46m Ω @ 5A, 10V2.1V @ 1mA683pF @ 25V6nC @ 5V60V±10V17A0.053Ohm69A60V8.7 mJROHS3 Compliant---------------------------
- MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK8 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON5.4A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®2016活跃1 (Unlimited)2-鸥翼--R-PSSO-G2-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING55m Ω @ 5.4A, 10V3V @ 250μA660pF @ 30V11nC @ 10V-±20V18A---90 mJROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)3260.37mge3yesSMD/SMTEAR9964MOhmTin (Sn)60V18ASingle42W8 ns4ns4 ns2.4V20V60V60V2.4 V2.39mm6.73mm6.22mm无SVHC无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BUK7M42-60EX | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-1210, 8-LFPAK33 | MOSFET N-CH 60V MLFPAK | 对比 |
![]() | HUF76419D3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 20A DPAK | 对比 |
| FDMS5362L-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | N-Channel 60V 17.6A (Tc) 41.7W (Tc) Surface Mount Power56 | 对比 |




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