BUK9Y58-75B,115备选型号: PHT6N06T,135
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- On a Reel of 1500, N-Channel MOSFET, 20.7 A, 75 V, 4 Tab-Pin LFPAK Nexperia BUK9Y58-75B, 11512 WeeksTin表面贴装SC-100, SOT-669YES4SILICON20.73A Tc2.15V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™2008e3活跃1 (Unlimited)4SINGLE鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN15 nsN-ChannelSWITCHING53m Ω @ 10A, 10V1137pF @ 25V10.7nC @ 5V16ns±15V9 ns20.73AMO-23515V75V0.061Ohm82.9A无ROHS3 Compliant------------
- MOSFET N-CH 55V 5.5A SOT223--表面贴装TO-261-4, TO-261AAYES4SILICON5.5A Tc4V @ 1mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)TrenchMOS™1997e3Obsolete1 (Unlimited)4DUAL鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN-N-ChannelSWITCHING150m Ω @ 5A, 10V175pF @ 25V5.6nC @ 10V-±20V-----0.15Ohm22A-ROHS3 CompliantEAR99Tin (Sn)防静电8541.29.00.75未说明未说明R-PDSO-G4不合格55V5.5A55V15 mJ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BUK7Y54-75B,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-CH 75V 21.4A LFPAK | 对比 |
![]() | PMPB40SNA,115 | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 6-UDFN Exposed Pad | MOSFET N-CH 60V 12.9A 6DFN | 对比 |
![]() | PMF3800SN,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-70, SOT-323 | MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323 | 对比 |






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