BUT70W备选型号: 2SB817C-1E

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • JEDEC-95代码
  • 转换频率
  • 连续集电极电流
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    Bipolar Transistors - BJT NPN High Power
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    125V
    900mV
    150°C TJ
    Tube
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    125V
    200W
    7A
    BUT70
    Single
    200W
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    125V
    32A
    900mV @ 7A, 70A
    200V
    7V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 12A 140V
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
    -
    通孔
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    3
    SILICON
    140V
    2V
    150°C TJ
    Tube
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    120W
    -
    -
    -
    2.5W
    SWITCHING
    PNP
    PNP
    140V
    12A
    2V @ 500mA, 5A
    160V
    6V
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2 Weeks
    2003
    yes
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    not_compliant
    10MHz
    未说明
    SINGLE
    100 @ 1A 5V
    100μA ICBO
    TO-247
    10MHz
    12A
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比