BYC15-600,127备选型号: FES16HT

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 二极管元件材料
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 应用
  • 端子位置
  • Reach合规守则
  • 基本部件号
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 箱体转运
  • 工作温度 - 结点
  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
  • 平均整流电流(Io)
  • 相位的数量
  • 反向恢复时间
  • Rep Pk反向电压-最大值
  • JEDEC-95代码
  • 最大非代表Pk前进电流
  • 反向电流-最大值
  • RoHS状态
  • 底架
  • 引脚数
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 附加功能
  • 电容量
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 最大浪涌电流
  • 最大反向电压(DC)
  • 平均整流电流
  • 峰值反向电流
  • 电容@Vr, F
  • 反向电压
  • 恢复时间
  • 无铅
  • WeEn Semiconductors
    DIODE GEN PURP 500V 15A TO220AC
    通孔
    TO-220-2
    NO
    SILICON
    1
    Tube
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    超快恢复能力
    SINGLE
    not_compliant
    BYC15-600
    IEC-60134
    R-PSFM-T2
    SINGLE
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    200μA @ 600V
    2.9V @ 15A
    CATHODE
    150°C Max
    500V
    15A
    1
    55ns
    600V
    TO-220AC
    220A
    200μA
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    DIODE GEN PURP 500V 16A TO220AC
    通孔
    TO-220-2
    -
    SILICON
    1
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    -
    -
    FES16H
    -
    -
    -
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 500V
    1.5V @ 8A
    CATHODE
    -65°C~150°C
    -
    -
    1
    50 ns
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    通孔
    2
    2001
    150°C
    -65°C
    HIGH RELIABILITY
    145pF
    500V
    16A
    Single
    7.81W
    16A
    250A
    500V
    16A
    10μA
    145pF @ 4V 1MHz
    500V
    50 ns
    无铅
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