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首页 全部分类 BYC15-600PQ vs APT15D60KG

BYC15-600PQ备选型号: APT15D60KG

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  • 安装类型
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  • 包装
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  • 基本部件号
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 工作温度 - 结点
  • 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
  • 平均整流电流（Io）
  • 反向恢复时间
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 质量
  • 二极管元件材料
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 应用
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 输出电流
  • 箱体转运
  • 正向电流
  • 最大浪涌电流
  • 正向电压
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 相位的数量
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • JEDEC-95代码
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 恢复时间
  • 反向电压(直流电)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • WeEn Semiconductors
    BYC15-600PQ
    WeEn Semiconductors
    DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC
    通孔
    TO-220-2
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    BYC15-600
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    10μA @ 600V
    3.2V @ 15A
    175°C Max
    600V
    15A
    18ns
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    APT15D60KG
    Microsemi Corporation
    DIODE GEN PURP 600V 15A TO220
    通孔
    TO-220-2
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    APT15D60
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    250μA @ 600V
    1.8V @ 15A
    -55°C~175°C
    -
    -
    80 ns
    符合RoHS标准
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    27 Weeks
    Tin
    通孔
    6.000006g
    SILICON
    1
    yes
    2
    EAR99
    175°C
    -55°C
    超快软恢复
    8541.10.00.80
    600V
    15A
    3
    R-PSFM-T2
    Single
    15A
    CATHODE
    15A
    110A
    1.6V
    600V
    15A
    1
    250μA
    600V
    TO-220AC
    110A
    21 ns
    600V
    9.19mm
    10.26mm
    4.72mm
    无
    无铅
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