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首页 全部分类 CES520,L3F vs 1N4448W-7-F

CES520,L3F备选型号: 1N4448W-7-F

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • Operating Temperature (Max)
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  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 基本部件号
  • 速度
  • 二极管类型
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 工作温度 - 结点
  • 最大浪涌电流
  • 最大反向电压（DC）
  • 平均整流电流
  • 电容@Vr, F
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 二极管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 电容量
  • 额定功率
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 电压
  • 元素配置
  • 电流
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 正向电流
  • 正向电压
  • 反向恢复时间
  • 峰值反向电流
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 最大正向浪涌电流（Ifsm）
  • 恢复时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    CES520,L3F
    Toshiba Semiconductor and Storage
    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA ESC
    18 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-79, SOD-523
    100°C
    -40°C
    Tape & Reel (TR)
    2001
    活跃
    1 (Unlimited)
    CES520
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Schottky
    5μA @ 30V
    600mV @ 200mA
    125°C Max
    1A
    30V
    200mA
    17pF @ 0V 1MHz
    unknown
    符合RoHS标准
    -
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  • Diodes Incorporated
    1N4448W-7-F
    Diodes Incorporated
    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
    19 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOD-123
    150°C
    -65°C
    Tape & Reel (TR)
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    1N4448W
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    2.5μA @ 75V
    1.25V @ 150mA
    -65°C~150°C
    4A
    75V
    250mA
    4pF @ 0V 1MHz
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    2
    10.007382mg
    SILICON
    1
    e3
    yes
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    8541.10.00.70
    4pF
    400mW
    75V
    DUAL
    鸥翼
    260
    250mA
    40
    75V
    Single
    25A
    400mW
    250mA
    500mA
    1.25V
    4 ns
    2.5μA
    75V
    4A
    4A
    4 ns
    1.25mm
    2.85mm
    1.7mm
    无
    无铅
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