CSD13306WT备选型号: DMP1045U-7
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大结点温度(Tj)
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 已出版
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 12V 6DSBGAACTIVE (Last Updated: 2 days ago)6 WeeksCopper, Silver, Tin表面贴装表面贴装6-UFBGA, DSBGA6SILICON3.5A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e1yes活跃1 (Unlimited)6Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)超低电阻BOTTOMBALLCSD133061Single增强型MOSFET1.9W7 nsN-ChannelSWITCHING10.2m Ω @ 1.5A, 4.5V1.3V @ 250μA1370pF @ 6V11.2nC @ 4.5V11ns12V±10V8 ns3.5A1V10V150°C294 pF1mm1.5mm1.8mm2mmROHS3 Compliant无铅----------
- P-Channel 12 V 31 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3-15 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33SILICON4A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)-e3yes活跃1 (Unlimited)3-HIGH RELIABILITYDUAL鸥翼-1Single增强型MOSFET800mW15.7 nsP-ChannelSWITCHING31m Ω @ 4A, 4.5V1V @ 250μA1357pF @ 10V15.8nC @ 4.5V23.3ns12V±8V106.9 ns4A-8V150°C-1.1mm3mm1.4mm-ROHS3 Compliant无铅7.994566mg2011EAR992604035.2A-12V无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|




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