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首页 全部分类 CSD16327Q3 vs FDMS8670S

CSD16327Q3备选型号: FDMS8670S

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD16327Q3
    Texas Instruments
    Trans MOSFET N-CH 25V 21A 8-Pin SON EP T/R
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    60A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD16327
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.8W
    DRAIN
    5.3 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4m Ω @ 24A, 8V
    1.4V @ 250μA
    1300pF @ 12.5V
    8.4nC @ 4.5V
    15ns
    +10V, -8V
    6.3 ns
    22A
    1.2V
    10V
    60A
    0.0065Ohm
    25V
    150°C
    65 pF
    1.1mm
    3.3mm
    3.3mm
    1mm
    Unknown
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMS8670S
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin Power 56 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    18 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    20A Ta 42A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    2.5W
    DRAIN
    14 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3.5m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 1mA
    4000pF @ 15V
    73nC @ 10V
    19ns
    ±20V
    10 ns
    42A
    1.5V
    20V
    20A
    -
    30V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    68.1mg
    3.5MOhm
    Tin (Sn)
    30V
    42A
    R-PDSO-F5
    200A
    无
  • 添加型号
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