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首页 全部分类 CSD17302Q5A vs IRLR7821PBF

CSD17302Q5A备选型号: IRLR7821PBF

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  • 上升时间
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 双电源电压
  • 高度
  • 无铅
  • Texas Instruments
    CSD17302Q5A
    Texas Instruments
    MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    16A Ta 87A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    260
    CSD17302
    8
    Single
    增强型MOSFET
    3W
    DRAIN
    5.2 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    7.9m Ω @ 14A, 8V
    1.7V @ 250μA
    950pF @ 15V
    7nC @ 4.5V
    8.4ns
    +10V, -8V
    3.1 ns
    87A
    1.2V
    10V
    30V
    1.1 V
    45 pF
    4.9mm
    6mm
    1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR7821PBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    65A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    75W
    -
    11 ns
    N-Channel
    -
    10m Ω @ 15A, 10V
    1V @ 250μA
    1030pF @ 15V
    14nC @ 4.5V
    4.2ns
    ±20V
    3.2 ns
    65A
    1V
    20V
    30V
    1 V
    -
    6.7056mm
    6.22mm
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    2004
    10MOhm
    30V
    65A
    30V
    2.26mm
    无铅
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