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首页 全部分类 CSD17308Q3 vs FDD6680AS

CSD17308Q3备选型号: FDD6680AS

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 已出版
  • 终端
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 双电源电压
  • Texas Instruments
    CSD17308Q3
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS - CSD17308Q3 - MOSFET, N CH, 30V, 47A, 8SON
    ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    14A Ta 44A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    260
    CSD17308
    8
    1
    Single
    增强型MOSFET
    2.7W
    DRAIN
    4.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10.3m Ω @ 10A, 8V
    1.8V @ 250μA
    700pF @ 15V
    5.1nC @ 4.5V
    5.7ns
    +10V, -8V
    2.3 ns
    14A
    1.3V
    10V
    47A
    30V
    65 mJ
    150°C
    1.3 V
    35 pF
    1.1mm
    3.3mm
    3.3mm
    1mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD6680AS
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V NCH DPAK POWR TRENCH
    ACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)
    10 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    55A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®, SyncFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    -
    FDD6680
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    60mW
    DRAIN
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    10.5m Ω @ 12.5A, 10V
    3V @ 1mA
    1200pF @ 15V
    29nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    12 ns
    55A
    1.4V
    20V
    -
    30V
    205 mJ
    -
    1.4 V
    -
    2.39mm
    6.73mm
    6.22mm
    -
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    260.37mg
    2004
    SMD/SMT
    Tin (Sn)
    30V
    鸥翼
    55A
    R-PSSO-G2
    30V
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