CSD17311Q5备选型号: FDD8878
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 质量
- 已出版
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 无铅
- MOSFET 30V N-Channel NexFET Power MOSFETACTIVE (Last Updated: 3 days ago)12 WeeksTin表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON32A Ta 100A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99雪崩 额定DUAL260CSD173118Single增强型MOSFET3.2WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING2m Ω @ 30A, 8V1.6V @ 250μA4280pF @ 15V31nC @ 4.5V18ns30V+10V, -8V12 ns32A1.2V10V200A30V1.05mm5mm6mm1mm无SVHC无ROHS3 Compliant----------
- Trans MOSFET N-CH 30V 11A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/RACTIVE (Last Updated: 1 day ago)10 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON11A Ta 40A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99-----Single增强型MOSFET40WDRAIN7 nsN-ChannelSWITCHING15m Ω @ 35A, 10V2.5V @ 250μA880pF @ 15V26nC @ 10V79ns-±20V27 ns40A1.2V20V--2.39mm6.73mm6.22mm-无SVHC无ROHS3 Compliant260.37mg200530V鸥翼40AR-PSSO-G2TO-252AA30V25 mJ无铅
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|




哦! 它是空的。