CSD17579Q3A备选型号: FDMS7698
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 已出版
- JESD-30代码
- 功率耗散
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- MOSFET N-CH 30V 35A 8VSONACTIVE (Last Updated: 2 days ago)6 WeeksCopper, Tin表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON20A Ta-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定DUALFLAT260未说明CSD17579Single增强型MOSFETDRAIN2 nsN-ChannelSWITCHING10.2m Ω @ 8A, 10V1.9V @ 250μA998pF @ 15V15nC @ 10V5ns30V±20V1 ns20A20V11A0.0142Ohm106A30V14 mJ49 pF3.3mm3.3mm800μmROHS3 Compliant无铅-----------
- MOSFET N-CH 30V 13.5A POWER56ACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)26 Weeks-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN8SILICON13.5A Ta 22A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99Tin (Sn)-DUALFLAT---Single增强型MOSFETDRAIN9 nsN-ChannelSWITCHING10m Ω @ 13.5A, 10V3V @ 250μA1605pF @ 15V24nC @ 10V3ns-±20V3 ns22A20V--50A-29 mJ-5mm6mm-ROHS3 Compliant无铅74mg2010R-PDSO-F529W2VMO-240AA30V2 V1.05mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF8714TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC | 对比 |




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