CSD17579Q5A备选型号: FDMS7692
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 触点镀层
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 已出版
- 端子表面处理
- JESD-30代码
- 资历状况
- 功率耗散
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 30V 25A 8VSONACTIVE (Last Updated: 3 days ago)6 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFNTin8SILICON1-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99雪崩 额定DUAL无铅260not_compliant未说明CSD17579Single增强型MOSFETDRAIN3 nsN-ChannelSWITCHING9.7m Ω @ 8A, 10V2V @ 250μA1030pF @ 15V15.1nC @ 10V7ns30V±20V1 ns25A20V14A0.0133Ohm105A30V14.5 mJ52 pF4.9mm6mm1mmROHS3 Compliant含铅----------
- FDMS7692 Series 30 V 14 A 7.5 mOhm N-Ch PowerTrench® MOSFET - POWER 56-8ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)18 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFN-8SILICON14A Ta 28A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)PowerTrench®e3yes活跃1 (Unlimited)5EAR99-DUAL无铅未说明not_compliant未说明-Single增强型MOSFETDRAIN8 nsN-ChannelSWITCHING7.5m Ω @ 13A, 10V3V @ 250μA1350pF @ 15V22nC @ 10V2.7ns-±20V2.3 ns28A20V47A0.0075Ohm50A---5mm6mm-ROHS3 Compliant无铅68.1mg2006Tin (Sn)R-PDSO-N5不合格27W30V2 V1.05mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMN3010LFG-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 11A POWERDI | 对比 |
![]() | IRFH3707TR2PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33 | 对比 |
![]() | IRFH3707TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | INFINEON IRFH3707TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 30 V, 0.0094 ohm, 10 V, 1.8 VNew | 对比 |





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