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首页 全部分类 CSD17581Q5A vs IRFH8318TRPBF

CSD17581Q5A备选型号: IRFH8318TRPBF

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  • 终端形式
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  • 基本部件号
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
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  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 已出版
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD17581Q5A
    Texas Instruments
    30V N CH MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    6 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    YES
    8
    SILICON
    24A Ta 123A Tc
    -55°C~155°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    not_compliant
    CSD17581
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.4m Ω @ 16A, 10V
    1.7V @ 250μA
    3640pF @ 15V
    54nC @ 10V
    30V
    ±20V
    123A
    24A
    0.0042Ohm
    256A
    30V
    76 mJ
    195 pF
    4.9mm
    6mm
    1mm
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8318TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 50A 5X6 PQFN
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    -
    8
    SILICON
    27A Ta 120A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    FLAT
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.1m Ω @ 20A, 10V
    2.35V @ 50μA
    3180pF @ 10V
    41nC @ 10V
    -
    ±20V
    27A
    50A
    -
    400A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    2012
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    3.6W
    15 ns
    33ns
    12 ns
    20V
    30V
    1.8 V
    无SVHC
    无
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