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首页 全部分类 CSD19531Q5AT vs STB60NF10T4

CSD19531Q5AT备选型号: STB60NF10T4

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  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 终端
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 功率耗散
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • 辐射硬化
  • Texas Instruments
    CSD19531Q5AT
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS CSD19531Q5ATMOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    100A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    雪崩 额定
    DUAL
    无铅
    260
    not_compliant
    未说明
    CSD19531
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    6.4m Ω @ 16A, 10V
    3.3V @ 250μA
    3870pF @ 50V
    48nC @ 10V
    5.8ns
    ±20V
    5.2 ns
    100A
    2.7V
    20V
    100V
    337A
    1.1mm
    4.9mm
    6mm
    1mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STB60NF10T4
    STMicroelectronics
    MOSFET N Ch 100V 0.019Ohm 80A
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    245
    -
    30
    STB60N
    -
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    23m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    4270pF @ 25V
    104nC @ 10V
    56ns
    ±20V
    23 ns
    40A
    3V
    20V
    100V
    -
    4.6mm
    10.75mm
    10.4mm
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SMD/SMT
    23mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    100V
    80A
    3
    R-PSSO-G2
    300W
    100V
    485 mJ
    3 V
    无
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