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CSD19532KTTT备选型号: IRLS4030TRLPBF
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- ECCN 代码
- 电阻
- JESD-30代码
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 100V TO-263-3ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-4, D2Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA3SILICON200A Ta-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)NexFET™e3yes活跃2 (1 Year)2Matte Tin (Sn)雪崩 额定鸥翼260not_compliant未说明CSD19532Single增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING5.6m Ω @ 90A, 10V3.2V @ 250μA5060pF @ 50V57nC @ 10V100V±20V200A0.0066Ohm400A100V259 mJ18 pF4.83mm10.18mm8.41mm4.44mmROHS3 Compliant含铅-------------
MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK-12 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON180A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)HEXFET®e3-活跃1 (Unlimited)2Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier-鸥翼----Single增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING4.3m Ω @ 110A, 10V2.5V @ 250μA11360pF @ 50V130nC @ 4.5V-±16V180A-----4.572mm10.668mm9.65mm-ROHS3 Compliant无铅2009EAR993.9MOhmR-PSSO-G2370W74 ns330ns170 ns16V100V2.5 VUnknown无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFS3207TRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 170A D2PAK | 对比 |
 | HUF75645S3ST | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK | 对比 |
| IRF2907ZSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | 对比 |
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