CSD22204WT备选型号: FDZ202P

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 功率耗散
  • 漏源击穿电压
  • Texas Instruments
    Trans MOSFET P-CH 8V 5A 9-Pin DS-BGA T/R
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    6 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    9-UFBGA, DSBGA
    9
    SILICON
    5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    9
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    BALL
    CSD22204
    Single
    增强型MOSFET
    58 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    9.9m Ω @ 2A, 4.5V
    950mV @ 250μA
    1130pF @ 4V
    24.6nC @ 4.5V
    600ns
    8V
    -6V
    2.29 μs
    5A
    6V
    5A
    0.014Ohm
    80A
    8V
    265 pF
    625μm
    1.75mm
    1.75mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 20V 5.5A BGA
    -
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    12-WFBGA
    12
    -
    5.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    P-Channel
    -
    45m Ω @ 5.5A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    884pF @ 10V
    13nC @ 4.5V
    9ns
    20V
    ±12V
    24 ns
    5.5A
    12V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2004
    -20V
    -5.5A
    2W
    -20V
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