CSD23201W10备选型号: DMN1033UCB4-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • 最大功率耗散
  • 场效应管特性
  • Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS - CSD23201W10 - FET, P CH, SINGLE, 12V, 4DSBGA
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    4-UFBGA, DSBGA
    4
    SILICON
    2.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e1
    no
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    SMD/SMT
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    BOTTOM
    BALL
    260
    CSD23201
    4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
    增强型MOSFET
    1W
    24 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    82m Ω @ 500mA, 4.5V
    1V @ 250μA
    325pF @ 6V
    2.4nC @ 4.5V
    19ns
    29 ns
    2.2A
    600mV
    -6V
    12V
    12V
    600 mV
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    含铅
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
    -
    表面贴装
    表面贴装
    4-UFBGA, WLBGA
    4
    -
    83 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    e1
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    10 ns
    2 N-Channel (Dual) Common Drain
    -
    -
    -
    -
    37nC @ 4.5V
    20ns
    52 ns
    -
    -
    6V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    17 Weeks
    2013
    1.45W
    逻辑电平门
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