CSD25310Q2备选型号: HUF76013D3S

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 漏源击穿电压
  • Texas Instruments
    -20V, P ch NexFET MOSFET™, single SON 2x2, 23.9mOhm 6-WSON -55 to 150
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    8 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6-WDFN Exposed Pad
    6
    SILICON
    20A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    NexFET™
    e4
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    DUAL
    无铅
    260
    未说明
    CSD25310
    Single
    增强型MOSFET
    2.9W
    SOURCE
    8 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    23.9m Ω @ 5A, 4.5V
    1.1V @ 250μA
    655pF @ 10V
    4.7nC @ 4.5V
    15ns
    20V
    ±8V
    5 ns
    20A
    -850mV
    8V
    0.089Ohm
    48A
    20V
    2mm
    2mm
    750μm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 20A DPAK
    -
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    -
    20A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UltraFET™
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    50W
    -
    -
    N-Channel
    -
    22m Ω @ 20A, 10V
    3V @ 250μA
    624pF @ 20V
    17nC @ 10V
    93ns
    -
    ±20V
    29 ns
    20A
    -
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2002
    20V
    20A
    20V
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